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臺積電3nm計劃提前一年落地美國！防止對手搶占先機

發(fā)布時間：2026-01-01 13:58:43 來源：企業(yè)錄(www.155tp.com)-公司信息發(fā)布,網(wǎng)上買賣交易門戶 作者：熱點

12月30日消息，臺積據(jù)報道，電n對手臺積電已決定將其亞利桑那州二廠的劃提3nm先進制程量產(chǎn)時間提前至2027年，比原計劃的前年搶占2028年足足提早了一年。

臺積電的落地亞利桑那工廠是該公司最大的投資項目之一，計劃投資高達3000億美元，美國目前第一座工廠已經(jīng)開始4nm制程的防止生產(chǎn)，而第二座工廠則計劃在2027年實現(xiàn)3nm的先機量產(chǎn)。

臺積電加速生產(chǎn)節(jié)奏的臺積核心動力源于其美國客戶，如蘋果、電n對手英偉達、劃提AMD對先進制程的前年搶占巨大渴求，尤其是落地4nm、3nm甚至2nm制程，美國因此亞利桑那工廠的防止升級勢在必行。

臺積電提速的另一個重要原因，在于區(qū)域競爭的白熱化，Intel位于亞利桑那州的Fab 52正在推進18A（1.8nm級）制程，試圖在本土市場實現(xiàn)技術(shù)反超。

而三星已決定在其德州泰勒工廠直接引入2nm SF2工藝，并成功吸引了特斯拉等大客戶，直接威脅臺積電的霸主地位。

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