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三星2nm工藝細節公布:能效提升8% 良品率不足60%

  發布時間:2025-12-16 07:46:48   作者:玩站小弟   我要評論
11月18日消息,據媒體報道,三星電子首次公布2nm工藝量產進展及技術指標:相較3nm制程,新工藝實現性能提升5%、能效優化8%、芯片面積縮減5%。盡管提升幅度低于業界預測,但標志著GAA全環繞柵極) 。

11月18日消息,星n效提據媒體報道,藝細三星電子首次公布2nm工藝量產進展及技術指標:相較3nm制程,布能不足新工藝實現性能提升5%、升良能效優化8%、品率芯片面積縮減5%。星n效提

盡管提升幅度低于業界預測,藝細但標志著GAA(全環繞柵極)晶體管架構在更先進節點的布能不足持續演進。

據悉,升良三星首款采用2nm工藝的品率SoC為自研Exynos 2600,傳聞當前良品率介于50%-60%。星n效提該芯片的藝細量產效能將直接驗證三星代工技術實力,尤其在高難度10nm以下制程中,布能不足良品率突破已成為爭奪客戶的升良核心競爭力。

目前,品率全球晶圓代工市場主要由臺積電占據,市場份額70.2%額穩居第一。雖然三星排在第二,但是市場占有率僅為7.3%,相差了接近十倍。

三星已經為晶圓代工業務設定新目標,希望通過提高2nm工藝的良品率以及與利潤豐厚的客戶建立長期業務關系,在兩年內實現盈利,并占據20%的市場份額。

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