SK海力士加速推進超300層V10 NAND閃存 目標2027年量產
12月9日消息，海力據Trendforce報道，士加速推閃存SK海力士確認將于2027年初量產第十代V10 NAND閃存，進超核心突破在于首次采用300+層堆疊架構并集成混合鍵合技術（Hybrid Bonding）。層V產
該技術通過將存儲陣列晶圓與外圍電路晶圓分別制造后垂直鍵合，目標形成單一高性能單元，年量顯著提升產品良率、海力數據傳輸效率及生產效益。士加速推閃存
此舉顛覆了行業技術路線預期——此前業界普遍認為混合鍵合技術需至400層堆疊階段才會啟用。進超
SK海力士選擇在300層節點提前商業化部署，層V產旨在加速確立存儲技術領導地位，目標應對AI及數據中心市場對高密度閃存的年量迫切需求。
同步披露的海力產能動態顯示，受企業級固態硬盤（eSSD）需求激增驅動，士加速推閃存其第九代NAND閃存產線已接近滿載。進超SK海力士正積極擴大現有產品供應規模，為下一代技術量產前的市場過渡期提供支撐。
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